第1020章 堵你家大门（1 / 4）

那么，在谭振华前世的1986年，华夏的半导体行业到底发生了什么？

其实真的没有发生什么惊天动地的大事，如果一定要探究一下的话，那么只有这几件事是值得记录的：

1986年5月，电子部4742厂试制成功华夏第一片64k dram，集成度为15万个元件，加工工艺为3微米，相比世界第一家制成相同产品的倭国nec晚了6年；

同年8月，华夏集成电路设计中心在京城成立，这标志着华夏集成电路设计业发展的开端。

在这一年，电子部还召开了“七五”集成电路发展战略研讨会，提出了“七五”期间关于集成电路技术的“531”发展战略，即普及推广5微米技术，重点企业形成3微米技术生产能力，进行1-1.5微米技术科技攻关。

在这一年的10月，南高丽政府开始执行“vlsi共同开发技术计划”，由政府出资，南高丽电子通信研究所牵头，联合三星、lg、现代三大集团以及南高丽六所大学，联合攻关dram的核心技术。随后三年内，该计划共投入1.1亿美元，其中政府承担57%的研发经费。

看起来，与前些年的形势并没有什么不同。

再认真追究起来，除了这些“大事”之外，只发生了三件非常小的事情。

第一件，米国、欧共体、倭国，包括“巴黎统筹委员会”一致决定，修改了对华夏半导体芯片的出口管制条例，使得华夏可以无需审查便从这些国家购买到绝大多数民用半导体器件，也可以在经过审查并确认为非军事用途后购买次一代的半导体生产设备；

第二件，这些芯片出口国开始有针对性地根据华夏半导体器件的发展水平制定进攻性的价格策略——具体来说，就是华夏可以自产的芯片，他们就用极低的价格倾销，华夏不能自产的芯片，他们便联合涨价；

第三件，