，一直在研究纺织法的新工艺。
半导体制造实验室内。
众人目前已经将芯片纺织机的工艺精度提升到12纳米的精度，不过量产型号的芯片纺织机，只能达到16纳米。
到了12纳米，其实已经到了光刻法的极限，为什么说12纳米是光刻法的极限。
拥有未来记忆的黄修远，自然清楚其中的猫腻。
未来三星、台积电所谓的10纳米/7纳米/5纳米，其实存在一种偷换概念的工艺，而英特尔由于没有代工业务，也懒得去理睬他们的“新工艺”。
其实在三星、台积电、英特尔三家生产的cpu，在性能上的对比，甚至还是英特尔更胜一筹。
为什么三星、台积电的5纳米，还干不过英特尔的12纳米?
这就是双方不同的工艺标准，导致英特尔和三星、台积电看似存在差距，实际上，是三星、台积电在标准上搞的鬼。
光刻法的极限工艺，就在12纳米附近，毕竟光刻要靠深紫外光和蚀刻，这是紫外光的物理性质决定的。
而纺织法的极限，取决于纳米线的横截直径，理论上单原子的纳米线，横截直径在0.5纳米左右。
不过黄修远明白，0.5纳米的芯片工艺，现阶段基本不可能实现，单单是一个量子隧穿效应，就足以让芯片报废。
为什么人类要追求更加小的芯片工艺?
答案是能耗。
更加精细的晶体管，可以有效的降低芯片的能耗。
如果单纯的追求运算力的提升，其实可以采用超算的刀片服务器搭建方式，不断增加芯片的数量。
在商业应用上，运算力虽然是一个大指标，但是真正的核心因素，是单位运算力的能耗，即我们常说的能效比。
假如，有甲乙两款芯片，其浮点运算力都是每秒10亿次，甲芯片采用28纳米工艺，而乙芯片采用22
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